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碳化硅陶瓷几种制备方法

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碳化硅陶瓷几种制备方法

发布日期:2017-12-14 作者: 点击:

由于碳化硅陶瓷的各种优良性能,因此人们非常认可碳化硅陶瓷,所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的,下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法。

(1)热压碳化硅陶瓷  虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。

(2)常压碳化硅陶瓷 常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以上的温度下,生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

(3)反应碳化硅陶瓷  反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。


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